代替原有的电源，中石装置实现对便携式的无源系统。

建最加氢4-3牺牲金属镀层石墨烯生长方法图9使用牺牲金属涂层方法在玻璃上生长石墨烯a）牺牲金属镀层法在石英上生长石墨烯的示意图。石墨烯在Cu上生长的基本步骤包括金属催化的CH4分解、大规Cu上碳原子的快速迁移，大规能垒为≈0.06eV，石墨烯在Cu缺陷和晶界处成核，以及Cu原子催化的畴区扩展生长。

b-d）光学显微镜图像，模石显示石英基底上450nm厚的Cu镀层的形貌演变，生长时间从15,60增加到420分钟。对于普通玻璃，脑油如钠钙玻璃，其软化点远低于低于石墨烯的生长温度，则发展了熔融床CVD技术。试投b）此方法所得到的石墨烯薄膜的TEM图像。

产成e）石墨烯玻璃基触摸屏工作实物照片。主要从事纳米碳材料、中石装置二维原子晶体材料和纳米化学研究，发表学术论文逾500篇，获授权中国发明专利30项。

建最加氢c）在熔融玻璃（红色柱）和石英玻璃（蓝色柱）上生长的石墨烯的畴区尺寸分布。

c）石英玻璃上生长的石墨烯薄膜的光学透过率光谱，大规在550nm下的光学透过率为96.3％。目前用于N2还原制备NH3所报道的催化剂（Au、模石Pt/C、Ru、Mo、Ag/Au、Bi4V2O/CeO2、Rh和Fe/CNT）种类有限。

（B-E）各种催化剂在不同电位处的NH3法拉第效率、脑油NH3产率和分电流密度。试投2011年加入德国波鸿鲁尔大学(RuhrUniv.Bochum)MartinMuhler教授多相催化团队进行博士后研究。

（F）Ru@ZrO2/NC在10°C、产成-0.21 V（相对于RHE）条件下的长期耐久性试验。此外，中石装置NH3产率相当低，转化率通常低于15％。